记者 张正伟

研磨细化、配料混合、压滤干燥破碎、炭热还原氮化……近日，记者来到位于前湾新区的晶曜盛巳（宁波）半导体有限公司，只见氧化铝原材料在精密的设备里经过一系列加工后，成为晶莹剔透的氮化铝晶体。

“可别小看这些粉末，它们可是制造第四代半导体衬底的新材料。”晶曜盛巳董事长高攀说，公司经过持续研发，成功掌握了制造2英寸至4英寸氮化铝晶体的核心技术，氮化铝衬底年产能力达到了5000片。

衬底是半导体产业链的起点，为集成电路提供基础框架；只有在高质量的衬底上，研发人员才能实现精细复杂的电路布局。来宁波一年多，高攀凭借在宽禁带半导体领域15年以上的专业经验，与公司研发团队及相关科研机构紧密合作，深入研究氮化铝材料性能，不断突破技术壁垒。目前，他参与研发的高品质氮化铝晶体具有约6.2电子伏特的禁带宽度、优异的紫外发光特性和高热导率，在特高压电网、下一代通信、深紫外LED消毒、功率模块散热基板等领域具有广阔的应用前景。

据悉，晶曜盛巳研发、生产的氮化铝晶体，主要用于制造超宽禁带半导体衬底，该公司是目前国内外为数不多专业生产氮化物衬底材料的企业。

“我们的目标是生产世界一流的氮化物晶体，为超宽禁带半导体提供高品质衬底材料。”高攀表示，公司争取用五年左右时间迎接产业爆发期，下一阶段将在实现2英寸至4英寸氮化铝晶锭、衬底量产的基础上向6英寸氮化铝衬底量产目标进发。